关于Self-Protection NMOS的疑问

guardian_qq · 发表于 2017-8-30 14:42:17

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如果电路中存在一个Power NMOS，其Source端接某个IO，Drain端接另一个IO，Bulk端接地，且这两个IO对地都有GGNMOS做ESD保护，那么当IO对IO打ESD的时候，是不是对这个NMOS有自保护要求呢？其是不是一定要按ESD管的Rule来画？且不论Source还是Drain都需要当做Drain来看待呢？

lihaiqi208 · 发表于 2017-9-6 23:19:23

按道理是这样，S(+)~D(-)击打，击穿的结是S/B，此结会有烧坏风险；D(+)~S(-)击打，击穿节是D/B，此结有烧坏风险；
但是尺寸很大，比如w>=1mm就很难画得下了

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