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[求助] 诚心请教画dummy的办法

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发表于 2017-4-16 17:58:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

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首先我看书了,没找到具体的解释。
另外也从网上查了不少资料,存在着有出入的解释。所以一头雾水,在此请教一下

1、dummy是直接在mos两旁多画metal,还是用guard ring或者其他的方式来画?
在这个论坛里,有人说:
a.给MOS器件周围添加dummy时,dummy器件的四端怎么处理?——这就是说dummy就是直接一个MOS管
b. 一般都是小方块金属——这回dummy又变成了小块金属,dummy metal fill说的就是填充金属吧?
c. 在MOS 两侧增加dummy poly,避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS,接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD,接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根,Source端与四周guar ring就近连接。
----------这样dummy就变成了poly,而且还是用guard ring来做

2、dummy是我在一开始画layout的时候就画,还是再最后出版图的时候,由cadence或者是fab厂家自动生成。
如果是自动生成的,那我只需要留够地方就可以了吧


上面这些不同的说法,哪个是准确的?
发表于 2017-4-17 09:13:28 | 显示全部楼层
本帖最后由 Snowy2016 于 2017-4-18 08:29 编辑

Dummy有dummy layer(就像你说的dummy metal)和dummy device(MOS、CAP、BJT等):
1、Dummy layer—主要是为了density和均匀性问题,目的是为了满足生产需要、良率等。Dummy layer的画法fab一般会提供rule(大小、距离等)或者脚本。
2、Dummy device—主要目的是为了匹配,缓解温度、制程差异等导致的offset。Dummy device的画法最好在match group的周围加一圈与其大小一致的device,dummy device的接法要保证他们不会影响到电路的function,比较说dummy MOS可以四端short。有时出于面积等因素的考量,dummy device的size会适当的缩小,dummy MOS甚至可能画成仅dummy POLY。还有一些dummy device可能是为了后期ECO改版等目的,最好根据designer的要求去画。
个人见解,希望对你有帮助。
发表于 2017-4-18 00:12:10 | 显示全部楼层
受教了
发表于 2017-4-19 13:09:09 | 显示全部楼层
金属dummy 可以让fab加    器件的最好自己加
发表于 2018-8-23 16:30:14 | 显示全部楼层
学习了学习了,谢谢谢谢
发表于 2018-8-24 16:15:09 | 显示全部楼层
受教了
发表于 2018-8-27 17:27:42 | 显示全部楼层
DUMMY通常是和RD交流着加啊
发表于 2018-9-6 16:21:22 | 显示全部楼层
本帖最后由 MerryShi 于 2018-9-6 16:23 编辑

受教了.在平时我画的时候,电路工程师会做好哪里画,画哪种的dummy。当自己觉得有需要优化的地方或者面积不够时,是要和电路工程师沟通的。
发表于 2019-1-29 14:21:19 | 显示全部楼层
学习了!谢谢
发表于 2019-2-13 13:37:45 | 显示全部楼层
学习了,谢谢!
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