N阱和P阱多晶硅电阻的区别？使用方法讨论

Andyou · 发表于 2022-11-3 15:16:48

学习

bing_bing · 发表于 2022-11-3 23:36:37

如果放在well里面周围环境是si 放在衬底上环境是二氧化硅温度影响会不一样

Edwin_sunny · 发表于 2022-11-6 22:36:48

一般对匹配精度要求高的，我们都是习惯用P+ Poly Res,
因为N+的话，多子是电子，电子受温度影响较大。

note30933 · 发表于 2022-11-7 09:26:13

学习了

最咸的咸鱼 · 发表于 2022-11-7 09:43:21

长知识了，谢谢

Andyou · 发表于 2023-5-29 16:15:45

Edwin_sunny 发表于 2022-11-6 22:36
一般对匹配精度要求高的，我们都是习惯用P+ Poly Res,
因为N+的话，多子是电子，电子受温度影响较大。 ...

我觉得你的回答比较好，受小弟一拜

ic初学菜鸡 · 发表于 2023-6-9 21:08:02

Edwin_sunny 发表于 2022-11-6 22:36
一般对匹配精度要求高的，我们都是习惯用P+ Poly Res,
因为N+的话，多子是电子，电子受温度影响较大。 ...

学到了谢谢

poly_lq · 发表于 2023-6-12 10:51:20

Edwin_sunny 发表于 2022-11-6 22:36
一般对匹配精度要求高的，我们都是习惯用P+ Poly Res,
因为N+的话，多子是电子，电子受温度影响较大。 ...

N+电阻无论是diff还是poly温度系数不一定比P+的高

跟浓度有关，每家工艺不一样的
“另外电子受温度影响较大“怎么理解

Andyou · 发表于 2023-6-12 14:45:46

poly_lq 发表于 2023-6-12 10:51
N+电阻无论是diff还是poly温度系数不一定比P+的高

跟浓度有关，每家工艺不一样的

因为空穴的运动实际上是电子的逆运动，空穴本身并不存在。所以说电子受温度影响更大。理解有误，希望大佬指正

SamuelShaw · 发表于 2023-6-25 23:02:46

Edwin_sunny 发表于 2022-11-6 22:36
一般对匹配精度要求高的，我们都是习惯用P+ Poly Res,
因为N+的话，多子是电子，电子受温度影响较大。 ...

“电子受温度影响较大，”请教大佬为什么呢？

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