关于MOS管的沟道长度效应的问题

leewisp · 发表于 2017-4-10 15:12:16

回复 8# chzhenqiu

你去查level 1 shichman-hodges模型，再饱和区和线形区都是由1+lamda*Vds的。具体为什么我不清楚。。。。。

chzhenqiu · 发表于 2017-4-10 19:46:19

回复 11# leewisp

嗯嗯，好的，谢谢！

egil · 发表于 2017-4-16 22:34:55

学习学习

semico_ljj · 发表于 2017-4-17 10:52:12

看kan

xinchip · 发表于 2017-4-17 19:53:33

小L器件都要考虑

penghe666 · 发表于 2023-4-14 11:20:24

leewisp 发表于 2017-4-7 16:39
楼主还在纠结这个问题呀。。。。。这个东西可以在理论推导里带上计算，但你要是真去算W/L，一般是不考虑的 ...

赞同，L大于0.8um的时候lamda就不严重了，模拟电路设计都用不到core管，尺寸可以用1um左右的

Haypin · 发表于 2023-7-24 11:48:15

chzhenqiu 发表于 2017-4-10 02:12
回复 4# leewisp

陈星弼的《微电子器件》（第四版）4.3.2节的解释是为了保证两区在分界点上的导数连续。另外在triode区平方律算出的电流比实测的值小，加上1+λVds应该可以更好地拟合实际输出特性曲线。

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