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查看: 1751|回复: 2

[讨论] 疑问:nand flash 怎么对每一位进行读取?

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发表于 2017-3-11 16:32:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我们都知道nor型flash 可以访问每一位,所以可以对每一位进行读或写。但是nand结构中每个单元串联构成一个页,而写操作的话是改变衬底和栅的电压即可,可是我怎么想不通怎么读取每一页的数据,
因为串联,所以如果每个单元的由于存储数据导致阈值电压不同,而他们又是串联,怎么读。。。。网上查了半天都是说算法实现。。(纠结)
还请各位大神指导
 楼主| 发表于 2017-3-11 16:55:13 | 显示全部楼层
终于知道了,vpass和vread ,读取某个单元时加vread其他单元栅加vpass,从头到尾顺序读出每个单元的存储数据到寄存器,然后按需要的地址读出需要的单元数据。
发表于 2017-4-7 06:41:57 | 显示全部楼层
一页上的cell并不是串联的,一个bitline的cell是串联的
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