图文教程----gm/Id设计方法原始曲线的仿真办法（不同L下的曲线簇）

AstonMartin · 发表于 2021-8-10 15:03:08

好很好，只不过现在的我才过来

boy1234 · 发表于 2021-8-20 22:16:58

感谢分享

wlianghao · 发表于 2021-9-4 17:25:13

谢谢

billjean · 发表于 2021-9-5 15:57:22

感谢

maomaozhu · 发表于 2021-9-8 17:27:00

谢谢分享

waixq7 · 发表于 2021-9-16 21:43:17

谢谢分享

下山途中 · 发表于 2021-9-24 03:58:19

康康

hzq710789790 · 发表于 2021-11-19 11:33:52

红红的西瓜发表于 2021-7-7 15:19
学习gm/id设计方法时，有以下疑问，希望各位能帮助解答。
回归到最基础的Vov与gm/id、ft的图表，单独看如果 ...

Ft与Vov的公式中不包含W，只包含Vov(分子)和L(分母)，所以增加W/L指的是单独增加W但L保持不变，这样Ft也维持不变，所以并无矛盾

godkolar · 发表于 2021-12-7 22:01:18

谢谢

红红的西瓜 · 发表于 2022-1-17 19:52:42

本帖最后由红红的西瓜于 2022-1-17 19:59 编辑

“选择大的gm/Id则电路偏向高增益低功耗但低速，选择小的gm/Id电路偏向高速但增益低功耗大。” 大的gm/Id，相同Id可以得到更大的gm，由gm/C，可以得到更大的单位增益带宽，速度不就更快了吗？为什么这里说大的gm/Id电路低速呢？ “通过电路的增益需求，在gmro VS gm/Id的曲线上选择合适的沟道长度L”，这里的本征增益是指输入管吧，对于折叠输入对的结构，增益是输入管的gm乘以电路输出节点的输出电阻，又和输入管的gmro本征增益有何关呢？
请大佬赐教！！十分感谢！

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