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查看: 5560|回复: 8

[求助] 目前模拟集成电路常见工艺有哪些,多少纳米?工艺跟运放的带宽等参数有何关系?谢谢!

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发表于 2016-9-25 16:57:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题:请问目前模拟集成电路常见工艺线宽有哪些,多少纳米的?这些跟运放的带宽等参数有什么关系?谢谢!
发表于 2016-9-26 09:17:24 | 显示全部楼层
Sansen的书的第一章不就说得很清楚了么?
发表于 2016-9-27 18:12:16 | 显示全部楼层
很多模拟电路要跟着SOC走,都开始搞10nm了,不过这个和Opamp带宽关系不大,应为你不会用最小沟道。但有些专门的模拟和RF芯片用40nm比较多。
 楼主| 发表于 2016-10-10 10:41:28 | 显示全部楼层
回复 2# wind2000sp3


    SANSEN书上只说了high-speed circuits用的L小,high-gain circuits用的L大。没具体说,L是0.25μm时带宽能做多大,我想问的是L是0.35μm、0.25μm、90nm等尺寸对应的最大带宽。谢谢!
 楼主| 发表于 2016-10-10 10:45:55 | 显示全部楼层
回复 3# lwjee


    应该有个范围吧,比如2.5微米工艺多少M带宽随便做,就是很容易设计出来,更大带宽很难设计。就是想知道这个粗略值,当做常识来理解。谢谢你的回复!
发表于 2016-10-10 11:23:49 | 显示全部楼层
回复 4# ICstudy2015



32~39页
1um ==> fT=1G
0.2um ==> fT=20G

做Oscllator的话,最大能做到1/100*fT;做Analog Procesing的话,最大能做大1/5*fT。
无标题.png
发表于 2016-10-10 11:30:58 | 显示全部楼层
回复 1# ICstudy2015


   不错,不错,谢谢分享
发表于 2020-3-2 11:08:51 | 显示全部楼层


lwjee 发表于 2016-9-27 18:12
很多模拟电路要跟着SOC走,都开始搞10nm了,不过这个和Opamp带宽关系不大,应为你不会用最小沟道。但有些专 ...


请问一下您现在模拟集成电路设计也会跟随最先进的工艺节点的演化吗,短沟器件的一些效应、器件本征增益减小这些问题会不会使得模拟IC设计很难
发表于 2022-6-6 23:53:09 | 显示全部楼层

感谢楼主分享~
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