LDO芯片上电异常发热

xiaoguan82 · 发表于 2016-8-30 16:52:36

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目前MCU芯片在用开关给电(电源使用普通的开关控制是否导通)的时候，出现内部发热，EMMI显示内部逻辑区有热点，怀疑是出现了LATCH UP.

示波器波形显示，上电过程电源出现跌落。
如果在电源上串接一个小电阻，就不会出现发热。小电阻应该限流了。

请高手帮忙分析一下，这种用开关上电的时候，未加任何外部器件，发生LATCH UP的原因是什么那。是因为这种接触式放电的问题，导致的？

这是属于ESD还是LATCH UP？

zengjie · 发表于 2016-8-31 16:29:25

回答下最后一个问题，仅供参考：芯片在ESD测试时，或者在正常环境下发生ESD事件导致的芯片问题，属于ESD问题。你的芯片一上电就出现电源voltage collapse，没有任何跟ESD相关的事件，很可能是出现了latchup问题。

andyjackcao · 发表于 2016-11-19 21:38:09

目前MCU芯片在用开关给电(电源使用普通的开关控制是否导通)的时候，出现内部发热，EMMI显示内部逻辑区有热点 ...
xiaoguan82 发表于 2016/8/30 16:52

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测试一下这个芯片的ESD等级和Latch-up等级。
根据你描述的现象，Latch-up等级会较低。
另外，上电过程中，电源出现跌落，还可能与LDO上电有大电流相关，不一定是Latch-up

wang_yanxin7 · 发表于 2017-1-11 15:51:36

MCU电源有没有去耦电容？曾经遇到过一次是因为电源线比较长，有寄生电感，和去耦电容发生LC震荡产生高压打坏芯片的事情。

karizum · 发表于 2017-1-16 10:23:26

Thank you.

黑色快乐 · 发表于 2018-12-13 09:59:24

latch up 也会导致电压下降

521lkh · 发表于 2020-7-30 17:08:37

芯片中有个模块不是直接接外部电源的，而是由内部稳压模块供电的。比如总电源是5V，有个block需要3.3V，
芯片内部集成了一个5V转3.3V的ldo，这个ldo的过流保护是50mA。但现在有个模块发生了latchup，就要从这个LDO抽取超过50mA的电流，LDO的输出电压就会降低，可能到接近0V，由于有过流限制，这个模块可能不会坏，但是电压被拉低，所有接在这个电压上的模块都不work了，芯片还是会fail。

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