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楼主: silverpuma

[求助] 同步BUCK OVP 烧芯片

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 楼主| 发表于 2016-8-2 15:00:21 | 显示全部楼层
10# Kevin_Yang
XXXXXX.jpg 这个就是烧芯片之前的波形,SW有很高的尖峰值。
 楼主| 发表于 2016-8-2 15:01:20 | 显示全部楼层
回复 9# magicdog


   Powermos和controller是集成在一起的,一颗die。
 楼主| 发表于 2016-8-2 15:04:15 | 显示全部楼层
回复 6# math123

   有可能是出现latch up了。但是我有两颗IC,同样的结构,只是应用环境有些不同。前者OVP之后可以正常恢复,后者不行。等我再做一些实验,对比下。
发表于 2016-8-2 16:36:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 math123 于 2016-8-2 17:10 编辑

OVP后重新对电感充电的SW波形已经不对了,通常有个最大占空比例如90%的,但那个SW的尖峰真的很奇怪

SW.jpg
发表于 2016-8-2 18:04:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 时光风筝 于 2016-8-2 18:10 编辑

回复 11# silverpuma


    在SW 和VIN之间并联一个肖特基diode 试试还会不会damage?

另外,你的LS 反向保护电流的阈值是多少?可以FIB/trim 减小该阈值看看是否有效。

另外你LS的耐压是多少,电压ring到这么高,LS是否可以抗的住?可以降低VIN的电压,看看是否能够正常工作?

仔细想了下,感觉像是logic的问题,因为这个是在关闭HS,打开LS 的时候damage的,而不是在LS 反向电流很大之后关断瞬间damage的,所以需要仔细check logic ,感觉可能性更大些。

可以讲damage 瞬间的波形放大吗,这样可以get 更多的信息。
发表于 2016-8-3 09:17:34 | 显示全部楼层
OVP是否会引起BS电压异常?
发表于 2016-8-3 10:43:06 | 显示全部楼层
随便说两句吧。。。

做保护很少用HS或LS 直接关掉或者打开。。。保护时候只需要限流即可。。。比如把占空比给到最小。。。

你的OV后HS管关断后LS打开,如果外接电容很大。。这种反向电流可以比你正常工作的电流还大。。。地线可能烧坏。。。

感觉还是保护的方法有点问题。。。太蛮劲了,要用巧劲
 楼主| 发表于 2016-8-3 10:58:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 silverpuma 于 2016-8-3 11:01 编辑

芯片OVP触发后,SW尖峰相对于VIN电压过高,导致芯片内部出现latch up,把芯片内部很多电路的连接线全部烧断了,芯片失效。如果我在电源上面串接一个1K电阻,芯片就可以恢复过来。应该是逻辑的问题,具体还在仿真验证中。 YYYYYYY.jpg
 楼主| 发表于 2016-8-3 10:59:32 | 显示全部楼层
回复 17# TianBian365


   嗯,有道理,貌似不能用蛮力。
发表于 2016-8-3 15:58:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 math123 于 2016-8-3 16:48 编辑

回复 17# TianBian365

参考了个高压buck controller,外接两个独立的DNMOS,电流可达10A,过温保护的时候是上下管一起关断的,不过这里上下管是分立元件,关断后很大的正向电流通过下管的衬底二极管放电也没问题。

楼主的情况OVP发生后是不知道负载情况的,如果用最小占空比继续对输出充电有可能电压会继续升高
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