同步BUCK OVP 烧芯片

TianBian365

回复 20# math123


你说的对的。。。保护方案和应用有关。。。你说的外接dual nmos的内阻极小（20m），强关也不会太发热（散热好）且无机会发生latch up。

保护 hiccup 打嗝也是不错的， 楼主的过压可以考虑同时hs和ls都关闭。。。比仅仅关hs开ls更快降低Vout。

silverpuma

回复 21# TianBian365

    嗯，以前设计有颗IC是有PSM模式的，还有过零检测。所以出现OVP的状态时，上下管都是强行关断的。不过当时是用的内封的MOS管，并没有出现现在的问题。
    现在是把PSM模式给删了，电感电流可以反向流，出现OVP的时候，强行关上管，开下管了，就挂了。
    另外OVP这个比较器是不是应该有个迟滞量，否则也很容易出现误判断导致芯片出问题？

math123

另外OVP这个比较器是不是应该有个迟滞量，否则也很容易出现误判断导致芯片出问题？

再想了下，拿OTP这个功能来比较，OTP就是有滞回量，还要加施密特触发器。

试过测试OTP就是有滞回量但是没加施密特触发器，结果测试过温的时候振荡了，输出关断不了，估计温度也振荡了。

现在有点怀疑这个芯片的烧毁是由OVP在一个周期内太过快速的开关造成的，因为这类大电流DC-DC的噪声大，有可能会误判。

之前说的高压controller就是要连续检测7次过流，过流信号才有效一次。。。UVLO信号也要连续检测7次。。。。

像一般的常压DC-DC逐周期过流，比较器没加滞回和施密特触发器，但是每周期过流信号只可有效一次。

或者如15楼所说将damage 瞬间的SW波形放大，可能得到更多的信息。

silverpuma

回复 23# math123


   的确如你说猜测的，OVP在一个开关周期内动作次数太多了，因为噪声的原因。   所以逻辑不能这么弄，而且还要加入足够大的迟滞量。   另外上下管同时关断是比较好的。或者连续几个周期检测后再做处理也行。