本帖最后由 andy2000a 于 2021-11-17 17:56 编辑
use BCD process
1st stage OPA use LV , and output use LDmos need pre-regulator
2nd stage LDMOS
需做pre-regulator 先把高压稳大约 5v ..Opa bandgap 全用 5v 做 , 输出则用 LDMOS , ldmos 可用drain挡高压 就 Pmos ldo 和 nmos ldmos 串 , 如果你要做高压 rail-to-rail 需要pmos nmos LDmos 去撑住高压, 那中间可用 LDMOS 去卡住高压 .. 中间卡 ldnmo 挡电压 , 要跑biaschk 去看是否 耐压没问题 , Pmos active load用低压PMOS或LDPMOS 都可以 , 用低压要小心电路动作瞬态下spike 可能会耐压问题 就算你加zener clamp , 瞬态下 还可能会
like this
不过你输出 0V 那 LDMOS 跨压 18V 很大 会烧掉吧
need OCP circuit
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