单个NMOS做开关，怎样减小阈值电压损失？

88王道 · 发表于 2016-7-6 14:13:08

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如图所示，用单个NMOS做开关时，S端输入3.3V时，D端只有2.2V，阈值损失太大，满足不了后续电路的要求。请教有什么方法可以使D端电压损失减小？
所用工艺是SMIC180的，作为对比仿真了UMC180的工艺，结果S端输入3.3V时，D端电压可以达到2.6V（满足后续电路要求）。难道是因为工艺的原因，但这差别也太大了吧？
求救求救……
注：不能使用CMOS传输门或PMOS做这个开关。
QQ截图20160706141028.png

maplefire · 发表于 2016-7-6 14:32:34

这个用chargepump自举gate

88王道 · 发表于 2016-7-6 14:57:46

回复 2# maplefire

这个问题是在做IO电路时遇到的，不能花费大片面积来做自举升压。
谢谢你的回复

victor0o0 · 发表于 2016-7-12 15:08:28

有DNW的话可以考虑把NMOS的Sub接到Source，降低体效应带来的阈值电压增加

hjstrive · 发表于 2016-7-14 10:36:57

回复 1# 88王道

可以加个很简单的升压电路，一个反相器加PMOS即可

semico_ljj · 发表于 2016-7-14 11:41:47

回复 5# hjstrive

提升一个Vthp？

88王道 · 发表于 2016-7-14 15:00:10

回复 5# hjstrive

尝试过，但还是不行。
多谢！

qiwentuo · 发表于 2016-7-14 15:28:03

1.上面说的方法为什么不可以？难道3.3v就是vdd电压了？如果3.3v不是最高电压就可以。
2.nmos传输高电平本来就有电压损耗，这个也没什么好办法，你又不能用pmos

88王道 · 发表于 2016-7-14 15:58:49

回复 8# qiwentuo

用inverter加PMOS之后，虽然Schmitt输入端电压可以达到3.3V左右，但Schmitt翻转阈值会受到正反馈的影响，项目中对VT有要求，所以不行。
可能对于VT要求低的项目该方法可用。

qiwentuo · 发表于 2016-7-14 16:04:57

没明白你的意思，你的nmos开关的G和D电压都为3.3v，要想S端高于2.2v（目的想接近3.3v），那你gate的电压至少要比S端高些，只要你gate电压不受限抬上去不就可以了，比如抬到3.3+Vthp就可以；如果3.3v就是最高那就不行

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