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[求助] memory 的几个电源应该怎么连?

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发表于 2016-6-24 20:04:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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TSMC的memory 有VDD,VDDCE,VDDPE等几个电源?大神能解释一下么?
发表于 2016-6-26 21:06:23 | 显示全部楼层
最好找相关的文档看一下,在power management 或者 power sequence 或者 pin description 相关的章节有描述吧。

memory 一般有 bit cell array  (core 区)和 peripheral circuits (peripheral 区) 两大部分,根据不同的功耗需求,形成两种供电方式,一种 single-rail  就是 core 和 peripheral 共用一个电源。
另一种就是 dual-rail 两个区域分别供电,方便进行power management。
还有其他bias 相关的vdd。

提到的这几个电源,估计是

VDD    -----  single rail 的 vdd
VDDCE -----  core vdd
VDDPE  -----  peripheral vdd

具体怎么连,都连到里芯片对应的供电网络上。
 楼主| 发表于 2016-7-5 17:41:57 | 显示全部楼层
请问这些文档在哪有?我们这里几个人的小公司,直接跟别人要的IP GDS,什么文档说明都没有,我们的design 只有一个电源VDD,是不是这个memory的 VDD ,VDDCE ,VDDPE都要连到VDD上?还是有哪个电源可以不连?
 楼主| 发表于 2016-8-24 23:04:27 | 显示全部楼层
是全部要连到VDD么?
发表于 2018-1-16 09:50:09 | 显示全部楼层
回复 3# 3lll


   MEM上pin是第几层金属啊,这几个电源是同一层金属么,我现在也有这个问题没有解决
发表于 2023-9-26 19:45:00 | 显示全部楼层
请问楼主的问题解决了吗,求教
发表于 昨天 10:12 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 半小时前 | 显示全部楼层
在mem.lef中定义了这些pgTerm的USE是power还是ground。
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