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[讨论] ESD MOS管

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发表于 2016-5-29 20:03:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问:在做ESD 防护的时候,MOS 管的 漏极 上的 contact 到 gate 上的 这个间距拉大可以增强ESD的保护能力,是什么原理?
发表于 2016-5-29 22:59:52 | 显示全部楼层
两个原因:
            1,单管过电能力增加
            2,多管开启更均匀
发表于 2016-5-30 12:53:52 | 显示全部楼层
拉开孔到栅距离(最好铺上SAB或POR)增大漂移区电阻,相当一在漏端串了小电阻,它会起到均流的作用,利于mos均匀开启,至于说增强单管过电流能力是指漏端拉开后面积变大,散热能力增强,同等电流下不易被热烧毁。
发表于 2016-5-30 13:55:16 | 显示全部楼层
发表于 2016-5-31 15:04:44 | 显示全部楼层
请问三楼POR这个层次哪家工艺里有?
发表于 2016-6-1 10:18:34 | 显示全部楼层
回复 3# 6275849@qq.com


    同问 POR 哪个foundry有这层
发表于 2016-6-28 13:45:07 | 显示全部楼层
应该是RPO吧!和SAB差不多,不同FAB叫法不同,记得好像UMC叫SAB,TSMC叫RPO!
发表于 2022-10-28 16:01:13 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2022-10-28 16:11:20 | 显示全部楼层
RPO = SAB
发表于 2022-10-28 16:16:48 | 显示全部楼层
谢谢分享
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