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查看: 2138|回复: 4

[求助] 请教一个PMOS超压的问题

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发表于 2016-5-11 11:40:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我们目前用到的TSMC55的工艺,只有Vgd<5V/Vgs<2.5V的不对称HVMOS,以及3.3V的IOMOS
但是需要支持到4.3V的电池电压和很低的待机功耗
很多工作在电池电压下的BLOCK需要off

用来做disable动作的3.3V IO PMOS的gate接什么电压就比较麻烦
如果产生4.3 - 3.3V去控制IO PMOS的gate,会浪费一部分不必要的电流
因此想直接把3.3V PMOS的gate拉到0
这样就会存在 PMOS |Vgs| > 3.6V,最高等于4.3V的情况

想请教大家,这样PMOS直接超压,但是总共的面积很小,,,行得通吗?

谢谢~~~
发表于 2016-5-11 18:13:14 | 显示全部楼层
寿命只有几年了
发表于 2016-5-12 11:30:04 | 显示全部楼层
1.>这样PMOS直接超压是不行的.會Oxide breakdown,只能選擇不对称HVMOS了,佔面積就佔面積
2.>使用3.3V PMOS 然後面积很小是行不通的. -->Oxide Reilability Issue
3.>其實知道需要4.3V的电池电压,就應該選擇有5V IOMOS的工艺.
 楼主| 发表于 2016-5-12 13:22:24 | 显示全部楼层
回复 3# billlin


   之所以有这个问题,是因为TSMC提供的工艺只有两个选择:要么对称的5V HVMOS,或者5V不对称HVMOS
   二者不可得兼。。。
   而且是和数字部分的某些选项有关系的
   例如,用什么ram,有没有embedded flash等等
   数字那边的选项决定了只能有不对称的HVMOS

   非常头疼,才想看直接超压行不行。。。
发表于 2016-5-12 14:53:52 | 显示全部楼层
看來您只能用5V不对称HVMOS了.
Device有Breakdown的風險是不好的.
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