看到TI的LDO芯片采用折返式电流限制功能，查资料说有可能出现闩锁效应？？

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限流折返曲线和负载电流曲线有可能相交

CZS293

这里所谓的闩锁效应只是形象上的说法，我觉得应该与我们一直所说的CMOS寄生BJT所带来的闩锁分开。实际上所谓闩锁不过是说电路进入并且稳定于一种错误的工作状态。这里提到的折返电流保护电路，主要是为了减小短路电流，保证电路限流启动之后，随着Vout的降低，Iout也降低，减小功率管的热消耗。
折返电流保护电路所带来的问题就是电路在启动过程中可能会由于负载曲线与折返电流曲线交点而不能启动负载。这里提到的负载曲线，是将LDO负载抽象成一个纯电阻与纯电流源的结合：当LDO开始对负载供电时，负载并未正常工作，看成纯电阻，负载电压升高电流加大；当充电至负载正常工作，负载便保持正常工作的电流，只抬升负载电压，等效为电流源。所以存在一个问题：当LDO启动时，虽然负载所需正常工作电流低于LDO电流保护限，但未充电至负载正常工作时的状态下，LDO提供不了负载所需的电压电流关系，就是对应前面图像中负载曲线拐点处于折返点流保护限外的状态，此时，LDO将不能正常启动负载，电路稳定处于这种错误的工作状态，即“闩锁”。
这个问题是否产生，与负载模型有关，一般在电路设计里并不能准确仿真，能做到的就是不能让短路电流太小，让折返曲线斜率小一些。或者设计恒定电流限保护电路与折返电流保护结合的电路，先启动恒定电流限，让输出电压下降时保证电流恒定，再启动折返电路，折至短路电流处，就如楼上所贴出的那样，这种保护会很好的解决这个“闩锁”ti很多电流保护就是这样做的。
模拟电路刚入门，一些思考拿出来交流，希望前辈同行们指正。

DRV8301

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tenyuan

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