看到TI的LDO芯片采用折返式电流限制功能，查资料说有可能出现闩锁效应？？

孤独的男巫 · 发表于 2016-4-24 22:41:23

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看到TI的LDO芯片采用折返式电流限制电路，查了资料说有可能导致寄生的闩锁效应，论坛里面的哥哥姐姐，大神们，谁能帮我解答一下，怎么就引起闩锁效应呢，感兴趣的也来讨论一下

孤独的男巫 · 发表于 2016-4-24 22:42:59

自己顶一下！！！

qiwentuo · 发表于 2016-4-25 13:59:06

有点摸不着头脑，看到你说的结果我觉得跟电流折返都没关系，不知从何说起，资料怎么说的

压抑的秘密 · 发表于 2016-4-25 16:08:19

没schematic或示意图，只能纯想象

chenxiaoming · 发表于 2016-4-25 16:42:51

maybe deadlocked at some unwanted state and may be not able to startup.

孤独的男巫 · 发表于 2016-4-26 22:45:46

回复 3# qiwentuo

谢谢回复。。。资料上说，限流折返曲线和负载电流曲线有可能相交，然后由于负载的非线性，可能存在功率管提供不了负载需求电流的情况，从而引起寄生的闩锁效应，，好几篇资料都有提到这个问题，建议说折返曲线的斜率不能太小，或采用其他的办法等。想了很久也不太懂这个问题。隐约记得闩锁效应是由于MOS管寄生的BJT管导通，引起大的衬底电流，然而并建立不起来联系呀，，，

孤独的男巫 · 发表于 2016-4-26 22:54:49

之前没有发示意图，这里发一张示意图，谢谢大家的关注捕获111.PNG

孤独的男巫 · 发表于 2016-4-26 22:55:48

回复 4# 压抑的秘密

后面补发了一张图，谢谢回复。。。

孤独的男巫 · 发表于 2016-4-26 22:57:50

回复 5# chenxiaoming

不懂。。。能给我讲讲吗，谢谢了

qiwentuo · 发表于 2016-4-28 11:59:02

不懂，看图的意思就是随着VOUT的下降，进入cc，电流反折力度不能太大（电流不能减太小）。没看懂与latch up的关系，看看文章的前因后果啦！

[讨论] 看到TI的LDO芯片采用折返式电流限制功能，查资料说有可能出现闩锁效应？？

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