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[讨论] LDO 设计讨论

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发表于 2016-1-6 15:19:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我是新手,正在设计一款LDO。设计要求如下:Vin 0~5V
Vout=3.3v (希望Vout在输入电压Vin小于3.3V时能够跟随Vin变化)
Iload max=100mA
Cout(希望在一个比较宽的范围里,0.2u~5u) Resr很小可忽略不计
dropout voltage=200mV
PSR 在全负载电流范围,-60dB@100kHz  -40dB@1M
line regulation +/-40mV@100mA
LoadRegulation +/-50mV@0mA--->100mA
输出精度+/-5%

我已经做了一款,感觉面积有些大,psr有些勉强,输出电容最小值未达到目标。

请有经验的大神给评评,这个要求算啥难度呢?感觉市面上这根本不算啥呀,可是找文章做设计的时候却很难找到适合的。

我看过了很多文章,感觉可用的太少了。可能是我对一些文章的理解不到位吧,还请大侠们分享下可靠的设计文章。
发表于 2016-1-6 17:43:18 | 显示全部楼层
很不错,这个LDO的PSR有些挑战,其他的还好
 楼主| 发表于 2016-1-6 20:40:03 | 显示全部楼层
回复 2# Kevin_Yang


   是的,我也觉得PSR很不好弄,对PSR的分析也不够确切。结合所有的条件感觉到,能用的方案太少了。不知确实是这样吗?
发表于 2016-1-7 00:00:34 | 显示全部楼层

标题

回复 3# limaoze39520 我也在做一个capless Ldo负载45ma,电池供电,输出3.3v,输出电容40p,也要求1M处-40dB,我只能做到100k -40dB,1M地方实在做不到,你是用哪种架构做的?
发表于 2016-1-7 10:24:03 | 显示全部楼层
输入低于3.3v,输出多少?大管用nmos的话PSR会好很多的
发表于 2016-1-7 12:51:13 | 显示全部楼层
PSRR不算很难
发表于 2016-1-7 13:15:11 | 显示全部楼层
回复 6# semico_ljj
你好,你有什么能提高高频处PSRR的方法吗?我现在也在做一个Capless LDO ,输出3.5-4.2,输出3.3,输出电容40P,负载最大45mA,要求1K-1M范围内,PSRR在40dB以上。
发表于 2016-1-7 15:53:48 | 显示全部楼层
回复 6# semico_ljj


   在全负载电流范围
 楼主| 发表于 2016-1-7 21:29:53 | 显示全部楼层
回复 4# pingpang0705


   我的设计要求跟你的却别挺大的,我PSR也不是所有条件下都可以满足。EA是带本地共模电阻的AB-OTA,不要buffer,但在EA输出加二极管链接的sense pMOS和工作在线性去的MOS降低EA输出电阻(在保证一定增益的情况下),主极点放在LDO输出端,次极点在EA输出端,用VCCS零点补偿次极点。
 楼主| 发表于 2016-1-7 21:32:41 | 显示全部楼层
回复 5# qiwentuo


   200mV压差呀,NMOS不行吧。
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