有关基准问题

tobytian · 发表于 2015-12-9 21:39:54

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1、基准的温度工作范围与管子的哪些参数有关2、都说温度过高，电路的特性会发生偏离，受温度影响变化最大的参数是哪个呢？是VTH的曲线随温度变化特性产生偏离么

david_reg · 发表于 2015-12-10 09:22:52

可以试试看看Allen的CMOS Analog Circuit Design书中4.5~4.6节中关于参考电压输出的温度系数的表达式, 可以看到它与哪些器件参数有.

hszgl · 发表于 2015-12-10 10:26:05

恐怕最大的问题是载流子浓度的变化。。。

lovekeduo · 发表于 2015-12-10 11:43:07

你这样问，说明指的是mos电路基准啊。掺杂半导体载流子浓度在中低温范围内不怎么变的。温度影响散射率，引起迁移率变化，同时本征费米能级和掺杂费米能级之差φΒ这个参数会随温度变，导致vth变化。对于BJT说，本征载流子浓度ni这个参数和温度有关，迁移率也会影响，而且bjt电流公式本身就含有温度参数

tobytian · 发表于 2015-12-10 15:06:55

可以试试看看Allen的CMOS Analog Circuit Design书中4.5~4.6节中关于参考电压输出的温度系数的表达式, 可以 ...
david_reg 发表于 2015-12-10 09:22

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好的谢谢

tobytian · 发表于 2015-12-10 15:08:29

你这样问，说明指的是mos电路基准啊。掺杂半导体载流子浓度在中低温范围内不怎么变的。温度影响散射率，引起 ...
lovekeduo 发表于 2015-12-10 11:43

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说的是MOS基准那这个偏离问题应该可以通过电路弥补的吧有这方面的参考文献么谢谢

eexiaozi · 发表于 2015-12-10 15:37:47

受VBE的影响大，随着温度的升高，VBE温度系数的绝对值增大，导致基准电压发生很大便宜，把公式写出来，把他们的温度系数表达式写出来，就能够看出来

天牛不唱歌 · 发表于 2015-12-10 15:42:20

Vbe是负温度系数，△Vbe是正温度系数。

tobytian · 发表于 2015-12-10 15:51:36

回复 8# 天牛不唱歌

要是MOS基准源不就不存在deltaBE的温度系数关系了么

tobytian · 发表于 2015-12-10 15:52:33

受VBE的影响大，随着温度的升高，VBE温度系数的绝对值增大，导致基准电压发生很大便宜，把公式写出来，把他 ...
eexiaozi 发表于 2015-12-10 15:37

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要是MOS基准呢不用带隙基准电压源做

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