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查看: 6126|回复: 6

[求助] cmos集成电路中高精度电阻如何实现

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发表于 2015-10-16 23:14:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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老师布置的作业,希望大神能给点指导,可以是查找资料的方向,如果能帮忙详细解答就再好不过了~谢谢啦!
发表于 2015-10-17 09:16:46 | 显示全部楼层
我不明白你说的高精度是相对什么的,是说两个电阻的match还是实现一个阻止很精确的Rs。

CMOS工艺中制作的电阻,其载体是多晶硅(poly),通过在poly上注入N+或者P+来导电,注入的剂量和能量一般和MOS的S/D是一样的。也就是说一个具体的CMOS工艺下其poly电阻的方块电阻基本是确定的,想得到不用的阻值,用方块电阻计算一下确定poly的长度和宽度就好。

那么想得到一个很小或很大的电阻,不可能把poly的W和L做的无限大或小,这就分别引入了poly silicide电阻和高阻两种电阻。其载体还是poly,前者是在poly的上表面形成了硅化物(现在经常用CoSi2),其导电性接近金属,因而导电通道基本上是CoSi2,而不是poly本身了,这就形成了小电阻,其方块电阻一般在几Ω/方块的方块电阻;高阻就是会用专门的光刻版HR来阻挡MOS 的S/D注入(工艺中这二者是一起做的,需要把电阻的区域遮挡),那么poly本身的电阻基本接近本征电阻,也可以通过长宽微调其电阻,不过精度不好控制。

希望对你有帮助~
 楼主| 发表于 2016-1-30 21:02:52 | 显示全部楼层
回复 2# 神般存在

好的,谢谢你的帮助啦!
发表于 2021-5-20 15:49:51 | 显示全部楼层
thanks
发表于 2021-6-20 11:41:28 | 显示全部楼层
学习了,谢谢!
发表于 2023-7-1 15:36:45 | 显示全部楼层
tanks
发表于 2023-11-14 19:13:39 | 显示全部楼层
谢谢老板!
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