bandgap电阻比例和BJT比例问题

lwjee · 发表于 2015-10-15 10:01:32

回复 8# Luxuchang

这要看你怎么做了，这里推到近似的。m比较大时电阻的offset影响明显增大的。R的取值主要影响功耗和面积。

cmfjxga · 发表于 2015-10-15 16:52:47

一般Q区面积较大的那种BJT，Q1 2的比例按照1:8或者其他最后摆成正方形的比例取值。然后看看VBE的温度系数，对应电阻的比例m值可以通过计算算出来。然后就是想想怎么设置电阻的连接方式达到一个小数的值，比如m=10.5

sam12321mas · 发表于 2015-10-18 11:21:25

回复 9# Luxuchang

我个人基本都用1:8，主要基于版图设计（layout）的对称性角度来考虑的，方便摆成一个正方形，1:14感觉也是可以的，主要看你版图设计的要求（如下图）。 1比8和1比14版图设计示意图.jpg

一般是把这个比例定下来然后对电阻的值进行粗略的计算，然后再调schematic里面电路transistor的尺寸

daisy_san · 发表于 2015-10-18 21:32:21

问一下，支路电流如何确定呢？通常我都是设10uA，功耗小时也设过5uA。

Luxuchang · 发表于 2015-10-19 12:00:13

回复 12# cmfjxga

恩恩，谢谢您分享的一些经验。现在主要问题是怎么仿真更有效？比如R1，R2，R3都是10/2的尺寸，P管电流10u，那么为了使温漂达到最小，怎么进行扫描仿真呢？

Luxuchang · 发表于 2015-10-20 10:35:55

回复 14# daisy_san

我被要求设为10u，现在正在想仿真方案，BJT定为1:8，电阻的话不知道是先定R3还是R1

cmfjxga · 发表于 2015-10-20 14:07:14

回复 15# Luxuchang

BJT也有很多种，选用面积大的那一种。流过MOS的电流镜设置在2uA差不多了就。I*R+VBE=1.2V，自己算吧。
BANDGAP主要耗电都是在运放上面的

asdmnbvc · 发表于 2020-2-1 20:52:47

lwjee 发表于 2015-10-14 17:00
M不能去太大的，Opamp Offset电压到输出的比例随M增加而增加。

OP的失调电压和M值有什么关系呢？
我认为是M值在计算公式里是以ln(M )的形式出现的，M值变成2倍，ln值也只是增大一点点，所以增大M值是不合算的。

jianbinma · 发表于 2021-4-8 15:51:15

我有个问题，为什么delta Vbe一般都通过m=8和m=1的BJT来产生，原理上两个同样大小的BJT，让其中一个的Ic是另一个的8倍一样可以得到相同的delat Vbe，为什么没人用？绝大多数都约定俗成的用m=8和m=1的BJT呢？有什么讲究？

境泽言香 · 发表于 2021-5-13 07:35:19

jianbinma 发表于 2021-4-8 15:51
我有个问题，为什么delta Vbe一般都通过m=8和m=1的BJT来产生，原理上两个同样大小的BJT，让其中一个的Ic是 ...

因为匹配，单个的八倍面积匹配效果不如个数的匹配性好

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