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发表于 2015-9-21 10:00:51
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本帖最后由 bsbs525 于 2015-9-21 10:02 编辑
1:有些标准单元的版图没有画阱接触孔和衬底接触孔,而是把这两个孔做成单元,这样在做PR时可以节约面积,如果不加,那么会发生latch-up效应,芯片变硅片啦.
latch-up效应:即闩锁效应,又称自锁效应、闸流效应,它是由寄生晶体管引起的,属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流,这不仅能造成电路功能的混乱,而且还会使电源和地线间短路,引起芯片的永久性损坏。防止:在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触。
2:ENDCAP是用于处理triple nwell的,不一定是指block level,对于多个nwell设计,因为阱电位可能不一致,需要确保每个nwell都是NWELL-enclosed,所以在row的end加上ENDCAP。
“从来不生产解释,我只是解释的搬运工~!!” |
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