求助：VDMOS的I－V特性

ponykuizai · 发表于 2007-5-17 11:28:00

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请教各位高手 VDMOS的I－V特性关系式是什么？
在含有VDMOS的集成电路中将VDMOS的D极从底部引到芯片表面要使导通电阻最低应采用什么方法（请具体说说理由）
急用望知道的帮帮忙谢谢！

飞雪 · 发表于 2007-5-17 17:22:45

要降低导通电阻，其中最主要的部分就是阱的掺杂浓度，但是阱的掺杂浓度太低将影响击穿电压，所以可以用一些必然场板、场线环等来提高击穿，适当的提高阱的掺杂浓度！

ponykuizai · 发表于 2007-5-18 07:55:39

楼上的老兄能说说计算VDMOS的沟道场宽比时用哪个I－V关系吗？是用一般MOS的I－V关系还是用其他的？
谢谢

lhlbluesky · 发表于 2007-5-22 23:36:36

同问一下

james_zhangwk · 发表于 2007-5-23 09:02:18

特性都是一样的,只是有V沟, 使得能够通过大的电流

hhq414 · 发表于 2008-3-2 16:39:10

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kevin_gao · 发表于 2011-6-16 10:26:23

现在一般都用TrenchMOS了，Rdson更小，Cgd也小，更省面积。

hhq414 hhq414 当前离线积分 729 头像被屏蔽	发表于 2008-3-2 16:39:10 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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