求振荡器Amplitude Regulation详解

zhifang · 发表于 2015-9-7 00:06:30

回复 6# jzr1989

给你个实际的例子吧，Nordic2.4G系列的芯片用的就是这个结构。实际应用中，采用高品质的16M晶体的时候，实测I0大约20uA。你可以看一下你仿真的I0是多少，如果明显小到差上一个数量级以上，那你就需要确认一下Crystal的model问题。如果没有数量级的差别，那你再找其他地方吧。
另外你说的DC下去起不来不知道什么意思？是指起振后Nmos的Diode电压很低以至于不开启？那此时I0接近于0，你还是要确认Crystal。或者你是说起振中Diode电压比较高，但起振后会变低到某一值，但是mos依然开启并保证I0有适当的值，如果是只能说你的仿真是对的，这就是这个电路的功能。
所以你确认一下你仿真电路的I0，如果振荡稳定后接近于0，就一定有问题。

jzr1989 · 发表于 2015-9-8 21:12:46

本帖最后由 jzr1989 于 2015-9-8 21:15 编辑

回复 10# zhifang

这是用16M仿真的结果：
上图，
      红色是T2支路电流，
      深蓝是T4支路电流，由初始的35uA降到了稳定的7.8uA，当然镜像好多倍后才是流入振荡器的电流，

下图，
      粉色是OSC输出，
      浅蓝是OSC输入，幅度稳定（300—700）mV

看深蓝色的T4支路电流，这个DC点的下降就是调节的过程，是利用了MOS管Vgs-Id转移曲线的非线性实现的，其它回帖的几位大侠也提到了这点。