Bootstrap动态性能问题

zengyl · 发表于 2015-9-9 17:23:42

回复 20# fightshan

看帖子不细心啊。。。第一楼就贴了

ff1268 · 发表于 2015-9-13 00:05:49

本帖最后由 ff1268 于 2015-9-13 00:08 编辑

各位先进好：

过了两个星期了，我的电路能就失败....原本想说这个电路最重要的就是那个开关，所以单独的测试一下，
如下图，在输入频率10M下ENOB还是很烂阿.....ENOB=10.715

Gate接时脉为2V以保证导通，输出负载为单位电容7f M=602
输入为0.6V 振幅为0.25的sin

螢幕快照 2015-09-13 上午12.02.54.jpg

zhuyun_zizy · 发表于 2015-9-13 05:09:47

各位先进好：

过了两个星期了，我的电路能就失败....原本想说这个电路最重要的就是那个开关，所以单独的 ...
ff1268 发表于 2015-9-13 00:05

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有点混乱，LZ不是在做bootstrap，怎么又拿个NMOS在simulate？另外， clock 是2V？　NMOS的body接到输入端？ channel length =100nm 而不是min channel length?

fightshan · 发表于 2015-9-13 18:20:43

各位先进好：

过了两个星期了，我的电路能就失败....原本想说这个电路最重要的就是那个开关，所以单独的 ...
ff1268 发表于 2015-9-13 00:05

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楼主不是搞bootstrap吗怎么又开始测单管开关了？另外，开关管不能把body直接接到source上，这种消除body effect的方法看起来美好，实际上在TH中输出端保持的电压某时刻重新采样后可能会比source低，也就是比body电位低，这会导致drain端的PN结正偏，你的电路就完蛋了

ff1268 · 发表于 2015-9-13 20:54:20

我是想继续测试Bootstrap，想不到方法试了，所以把Bootstrap的开关mos单独测试...，但还是没什么结果...崩溃阿......

sohubjb · 发表于 2015-9-15 11:56:10

bootstrap开关电路，调试的时候主要看你开关在有信号的情况下vgs的保持的多少，是否接近电源电压，

波动有多少，另附开关的source一定要接地，

实际上单个开关应该二阶会大，因为有衬偏效应，这时可以把开关尺寸做大点

另一个做法是仿出开关的阻值大小，算RC频率，看是否比采样频率高4-5倍

istart_2002 · 发表于 2019-5-17 16:54:50

开关的输出端怎么做的FFT啊？

2013102063 · 发表于 2019-5-18 10:28:36

你差分测呢。按道理传输管尺寸是要大一点，但是你的尺寸是有点大了。

2013102063 · 发表于 2019-5-18 10:30:40

你的电容带的多大？这个仿真的时候应该带你10b的电容

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