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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › ESD/EOS和latchup(芯片级) › ESD/EOS讨论区 › 防止latch up的方法
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楼主: chian

[讨论] 防止latch up的方法

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Edwin_sunny
发表于 2021-12-5 22:57:38 | 显示全部楼层
111111111
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cwq
发表于 2021-12-7 09:12:54 | 显示全部楼层
谢谢分享
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jozhizhou
发表于 2021-12-12 18:38:57 | 显示全部楼层
thanks
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shiz_0303
发表于 2021-12-12 22:56:14 | 显示全部楼层
谢谢
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发表于 2021-12-14 10:39:33 | 显示全部楼层
Very  better !!!  Excellent  professional  datas !!!  Thanks for your sharing !!!
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challengersy
发表于 2021-12-14 22:29:25 | 显示全部楼层
感谢分享!!!
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xiongjf
发表于 2021-12-17 13:33:22 | 显示全部楼层
谢谢分享，latch up的测试方法一般是怎样的？
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lishiliang
发表于 2021-12-23 15:22:25 | 显示全部楼层
真不错
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tfjim
发表于 2021-12-23 15:54:16 | 显示全部楼层
谢谢分享
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xiongjf
发表于 2021-12-23 17:22:34 | 显示全部楼层
IO处如果不使用pmos的话,IO 的esd对电源的路径也会受影响吧
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