一个关于基准的问题

fightshan · 发表于 2015-8-25 13:23:03

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这个1.25V的基准电压是在300K时推得的，也就是因为要让300K时温度曲线斜率为零，因此得到了一个正温度系数，而恰好这个系数可以让TC=0时输出1.25V的电压。
我的问题是，在300K时得到TC=0,而且恰好输出电压为1.25V不是在任何工艺下都可以实现的吧？

semico_ljj · 发表于 2015-8-25 13:42:02

不同工艺，略有却别，但是原理一样的

lwjee · 发表于 2015-8-25 14:33:42

对，Vbe不一样。有时候BJT的温度变化也略有不同。

fightshan · 发表于 2015-8-25 17:33:27

对，Vbe不一样。有时候BJT的温度变化也略有不同。
lwjee 发表于 2015-8-25 14:33

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就是说我现在在实际的工艺下调基准用拉神的这种PTAT和Vbe叠加是有可能得不到300K下TC=0且输出1.25V的是吧？

xianwu_hs · 发表于 2015-8-25 21:23:59

不同工艺下面的bjt具有不同的温度系数

lwjee · 发表于 2015-8-25 21:51:58

回复 4# fightshan

对，比如65nm 1.23V,40nm 1.225V， 28nm 1.219V，16nm 1.182V

hezudao · 发表于 2015-8-26 04:58:06

用16nm的公司还真不多，

fightshan · 发表于 2015-8-26 09:09:14

回复 fightshan

对，比如65nm 1.23V,40nm 1.225V， 28nm 1.219V，16nm 1.182V
lwjee 发表于 2015-8-25 21:51

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OK 谢谢

semico_ljj · 发表于 2015-8-26 10:07:56

回复 7# hezudao

16nm?!只有DRAM，手机芯片和高端仿真开发板采用

28nm做绝大多数产品够用了

rfmdmenglb · 发表于 2015-8-27 03:49:28

1.2 is the magic voltage(band gap) for silicon at absolute zero degree. Non-ideal factors(process spread, op-amp offset, current gain variation, current mirror mismatch etc.) finally make the output have normal distribution.

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