有关STI与WPE技术的问题？

huishenggu · 发表于 2015-8-10 14:46:26

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1，请问STI技术会对一块阱上的有源器件做整体刻曹隔离，还是会对每个有源器件做刻槽隔离？还是把一块AA认成一个整体，再做隔离？
2，对于非deepnwell工艺，n腔都坐在一个p阱上，那WPE效应对N腔影响是不是很小？

huishenggu · 发表于 2015-8-11 12:48:14

没人回答么？

heruizhou · 发表于 2015-8-11 16:44:15

firewolf223 · 发表于 2015-8-11 22:28:00

STI指的是没有AA的地方，这个AA不仅仅是指layout里的AA 而是完全没有任何注入的地方。
WPE 主要是井注入的问题，不仅仅指P井 nwell注入也会有这个效应。

david.yih · 发表于 2015-8-13 13:00:04

In process , STI is used to replace LOCOS process.

david.yih · 发表于 2015-8-13 13:03:32

WPE effect will affect Vth for nmos and pmos.

aizhouyin · 发表于 2017-2-9 17:23:14

谢谢楼主分享

ganzhenkai · 发表于 2017-2-18 15:26:48

学习了

renrensd · 发表于 2020-7-17 01:46:43

谢谢楼主分享

lvmingfiona · 发表于 2021-6-15 19:28:19

谢谢分享！

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