如何消除LDO本身的器件噪声对VCO相位噪声性能的影响

何平 · 发表于 2015-8-9 13:44:32

回复 10# 龙十三少95

谢谢您的回复，您好，MOS管形成的低通滤波器？？你的意思是RC低通滤波器中的R用工作在线性区的MOS管代替，C就用MOS电容吗？还有一件事情想问一下，RC低通滤波器中的R，C值都取得非常大的时候，LDO的启动时间会有1~2ms，一般对VCO中的LDO的启动时间有什么样的要求呢？？？？谢谢了

waveguides · 发表于 2015-8-11 01:11:16

回复 6# gm-cfiltersz

多谢

hbgonghaibo · 发表于 2016-3-7 11:43:05

可以从两个方面下手：1、ldo设计时注意优化噪声把噪声降到最低，2、减小vco的pushing（f/vdd），采用pmos做电源的结构，这样ldo到vco core之间有一层隔离。

菜鸟RFIC · 发表于 2016-9-7 16:17:17

回复 13# hbgonghaibo

首先要明确的是来自LDO的噪声不能完全消除，只能想尽办法降低在低频（100khz）内LDO输出的噪声，如果能做到几nv/sqrt(Hz)。那么来自LDO的噪声对VCO的相噪影响非常小。通常解决方案，在LDO中的基准电压处接一个电容(uf)来降低基准电压的噪声，这是很关键的。因为LDO中很大一部分噪声都是来自基准电压，如果能用其他办法来解决此处的噪声更佳，但是目前还未出现其他更优的解决方案。其次尽可能降低LDO中的反馈系数和电阻阻值，因为来自基准电压的噪声会被反馈系数放大同时电阻的阻值越大将会产生较大的热噪声，前提是保证电阻比例精准。除此之外，需要优化VCO的相噪，只有综合以上方法才能降低LDO输出噪声对VCO相噪的影响！如果你有更好解决基准电压的输出噪声（前提是不外接滤波电容，仅通过电路技术来优化噪声）可以分享一下，谢谢！

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