RF MOS layout 问题

firewolf223 · 发表于 2015-8-11 22:36:21

DNW 放在nmos下面起隔离作用，前面已经有人讲的很详细了。
放在pmos下面主要还是增强管子的能力。因为nw的注入深度有限，加入DNW可以增加nw的深度，可以提供更深的沟道，因为是RF的应用，或许还有耐压的考虑。

william_kuang · 发表于 2015-8-12 08:23:53

学习了，真好

zldl0319 · 发表于 2015-8-12 10:49:12

感谢大家的回答！还有一个问题：就是如果rfmos在外加guard ring的话，那么guard ring是需要加电位呢，还是直接接地？如果需要加电位那么是要在GSG pad旁边再加一个直流pad吗？希望不吝赐教！！！！

姝悦 · 发表于 2018-11-2 17:42:01

说的很好，大家知道哪里可以找到MOS管截面图解吗各种各样的层的解释

x_logen · 发表于 2018-11-7 17:34:49

DNW和NW的材质是一样只是掺杂浓度不一样

萤火意志 · 发表于 2022-8-11 20:13:32

mark！

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