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查看: 4349|回复: 13

[求助] LDO 基准电压结构选择

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发表于 2015-8-4 15:57:50 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟最近在做一款高压LDO,最高输入电压18V,静态电流 3uA左右,最大输出电流100mA,输出精度和psrr 等都没有要求(基本就是满足静态电流就行) ,请问这种LDO的基准采用哪种结构比较合适,请各位大神给指点一下,谢谢!!
 楼主| 发表于 2015-8-4 16:46:48 | 显示全部楼层
自己 顶起
发表于 2015-8-4 18:02:49 | 显示全部楼层
要求低,选择面就宽了。核心还是怎么补偿零极点,其次是在小电流时的稳定性
 楼主| 发表于 2015-8-4 18:49:51 | 显示全部楼层
请问这种情况可以用标准的bandgap去实现吗,谢谢?
发表于 2015-8-4 19:48:45 | 显示全部楼层
回复 4# liliheqing


   bg就算外加buffer,也提供不了这么大的电流吧?
 楼主| 发表于 2015-8-5 09:11:33 | 显示全部楼层
回复 5# hehuachangkai


    你好,你说的提供不了这么大的电流是什么意思,这里的BG需要提供大电流吗 ,谢谢!!!
发表于 2015-8-5 09:54:01 | 显示全部楼层
1.你的输出电压范围是多少?输出固定吗?如果输入输出压差较大,可以用nmos的LDO啊!补偿好做
2.是做片内LDO(一个cell)给其它模块供电还是就是做一个LDO芯片?
发表于 2015-8-5 10:19:53 | 显示全部楼层
用标准的就行,控制好各block电流,做好补偿
发表于 2015-8-5 10:20:59 | 显示全部楼层
the most popular solution of low Iq bandgap is  E/D NMOS
发表于 2015-8-5 16:43:15 | 显示全部楼层
回复 5# hehuachangkai


   bandgap在这里只是给LDO提供一个稳定的偏置电压,并不提供负载电流,这里的100mA电流,应该是指负载电流!
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