在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1631|回复: 2

[求助] MTCMOS处电流密度最大,这是为什么呢

[复制链接]
发表于 2015-7-25 16:50:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
手册上有句话-->  True VDD和Virtual VDD的网格通过MTCMOS连接,MTCMOS处是电流密度最大的地方,所以为了减小IR drop,在MTCMOS上方尽量用宽金属走Power Strap;

想请问下,为什么MTCMOS处电流密度最大呢?
发表于 2015-7-26 09:25:40 | 显示全部楼层
电源线一般都是em最容易发生的地方, 这个上面讲的没啥意思,

而且strap肯定是较粗的线
 楼主| 发表于 2015-7-26 10:11:24 | 显示全部楼层
回复 2# icfbicfb

是不是因为MTCMOS是strap与rail的连接处,导致此处得电流密度最大呢
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-7-17 05:03 , Processed in 0.022703 second(s), 10 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表