MTCMOS处电流密度最大，这是为什么呢

jiazhang · 发表于 2015-7-25 16:50:21

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手册上有句话--> True VDD和Virtual VDD的网格通过MTCMOS连接，MTCMOS处是电流密度最大的地方，所以为了减小IR drop，在MTCMOS上方尽量用宽金属走Power Strap;

想请问下，为什么MTCMOS处电流密度最大呢？

icfbicfb · 发表于 2015-7-26 09:25:40

电源线一般都是em最容易发生的地方，这个上面讲的没啥意思，

而且strap肯定是较粗的线

jiazhang · 发表于 2015-7-26 10:11:24

回复 2# icfbicfb

是不是因为MTCMOS是strap与rail的连接处，导致此处得电流密度最大呢

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