ASMC工艺中，有一种BCD的工艺，其中metal层有选择

蓝风紫心

ASMC工艺中，有一种BCD的工艺，其中metal层有选择，2层（M1、MET）或者3层（M1、M2、MET）,2层（M1与MET通过VA1相连）或者3层（M1与M2通过VA1相连，M2与MET通过VA2相连）,我就是想知道，在参加MPW的时候，如果其他家用3层Metal，而只有我们家用2层的，这是怎么实现的？还是分开跑的，不是做在一块版上的？如果做在一张版上的话，是怎么做的？

icfbicfb

这个是fab的事情，你不用管， 填好自己的表格就行了

蓝风紫心

回复 2# icfbicfb


    这个我也是知道的，肯定要填表区分了
，但是工艺上是怎么实现的就不知道了，很想知道是怎么弄的、

icfbicfb

好像是你M3上全是dummy这种， 凑个数而已， 大家的mask不一样

stardon12

可以做到一起的,你们的少的METAL层与空白的空间是一样的.

DOONPENG007

您好！我是湖南静芯微电子技术有限公司的总经理董鹏，我们是一家集成电路设计公司，位于湖南长沙经开区，主营业务有ESD solution、ESD/TVS device、IP委托设计。希望在看了下面的介绍后，我们能从中找出契合点进行合作。
            1、我们的ESD/TVS产品特性：成本低、面积小、可量产、可集成、鲁棒特性高、HBM防护等级达到30KV（国内首家，可芯片集成），可以为foundry进行ESD工艺库开发。
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湖南静芯微电子技术有限公司，SuperESD
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顺颂商祺！

董鹏  2015年7月22日

通信地址：长沙市国家级经济技术开发区
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lanlan860207

努力学习中~谢谢!

btsunny

一般情况下会把你的M1/V1 GDS 复制到M2/V2上

yardeni

努力学习中~

tezhi

M2與M3會是相同走線，但M3會是dummy，沒有接VIA2，所以沒有影響到你的layer層次，只是在做M2 FIB實驗需多挖一層M3