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[求助] ASMC工艺中,有一种BCD的工艺,其中metal层有选择

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发表于 2015-7-16 10:57:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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ASMC工艺中,有一种BCD的工艺,其中metal层有选择,2层(M1、MET)或者3层(M1、M2、MET),2层(M1与MET通过VA1相连)或者3层(M1与M2通过VA1相连,M2与MET通过VA2相连),我就是想知道,在参加MPW的时候,如果其他家用3层Metal,而只有我们家用2层的,这是怎么实现的?还是分开跑的,不是做在一块版上的?如果做在一张版上的话,是怎么做的?
发表于 2015-7-16 11:35:33 | 显示全部楼层
做在同一块版上,但是分开跑。
发表于 2015-7-16 11:39:51 | 显示全部楼层
管她怎么跑,你pad跳到metal3开窗就行咯
发表于 2015-7-16 13:38:17 | 显示全部楼层
楼上说得好有道理
发表于 2015-7-16 21:19:05 | 显示全部楼层
这样2种东西能做在一个圆片上????
 楼主| 发表于 2015-7-17 09:04:44 | 显示全部楼层
回复 5# leo2leo


    我就是不知道fab厂是怎么做的,所以想请教大家,MPW的时候,怎么实现
发表于 2015-9-10 09:19:48 | 显示全部楼层
同一块晶元上可以做不同flow吗?
发表于 2016-8-17 09:52:20 | 显示全部楼层
你好,我最近也遇到相似问题,我们的metal层数少于别家的,我们5层metal,别家8层。这牵涉到一个top metal 厚度的问题,和顶层metal  到次顶层 metal 的 via 深度的问题,这是我的困惑,能帮我解答下吗?
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