求助，关于HBT射集宽度的问题

Seawindzjr

各位大神好，我们下周要做一个关于HBT尺寸问题的Presentation，但是还有些问题搞不清楚，求大神指点迷津


首先HBT的电流是由面积电流和边缘电流构成的，射集是一块比较薄的长方体，但是再薄它还是有厚度的，而这就会产生边缘电路，大尺寸的时候边缘电流可以忽略，但是小尺寸的时候这个问题就不能忽略了，我们的目的就是找到一个与尺寸无关的面积电流密度和边缘电流密度，以构建一个尺寸公式，这样在改变尺寸的时候只要把新尺寸带入，就可以相对应的面积电流和边缘电流。从下面的公式可以看到，总IC除以射集面积只跟射集周长与射集面积的商相关。

IC

然后在改变尺寸的时候有两个问题我们想不明白，求大神指点
第一，仿真中bE0分别为50，100，200nm，lE0一直是1000nm，仿真中我们改变的是bE0，这是为了使得射集周长与射集面积的商改变更大，以便观察，但是导师跟我们说，上图中的bE0，工业中通常是不改动的，工业中我们希望得到更大电流的话最多只改动lE0，首先一个原因就是工业中虽有有时候希望得到更大电流，但是仍然不希望射集周长与射集面积的商改变太大，但是为什么呢？这是我们第一个想不明白的地方。
第二，导师还提到，增大bE0的话，三极管的性能会变差，但是为什么会变差？我只能想到当bE0增大的时候基极电阻会增大，但是这个电阻增大后会对三极管的性能造成什么额外的负面影响？或者除了基极电阻外还有什么我没考虑到的么？
第三，仿真中我们发现，随着频率增加，集基，基射电容一开始都是定值，但是从某个频率开始会突然快速往下掉，并且bE0越大，这个往下掉的频率点越靠前，为什么会这样？为什么到了一定频率后电容会开始变小甚至变成0，为什么bE0增大会使电容在更小的频率就开始往下掉？

Seawindzjr

居然没有一个回答。。。难道我发错区了？。。。