有关Silvaco TCAD磁方面仿真问题

lvfeihi · 发表于 2015-6-1 13:10:20

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最近用Silvaco TCAD做垂直霍尔器件的仿真，有个地方有疑问，具体情况如下：

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如图所示，材料为N型掺杂的Si, ABCDE为5个电极，对称。C施加0.1mA的电流，AE接地，BD高阻态。同时施加磁场1T。

我感觉I(A)+I(E)应该等于I(C)也就是0.1mA。但是仿真出来的结果不是。

（如果不加磁场I(A)+I(E)=0.1mA）。

是我的想法错误，还是仿真结果有问题？

麻烦各位帮忙看看，给小弟指点指点，多谢。

lwq_119 · 发表于 2015-6-1 13:43:50

回复 1# lvfeihi

哎呀，巧了。我也在做这个。加我qq吧，帮你看看什么问题582931404

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