求 TCAD的VDMOS功率器件仿真研究

andy2000a

求  

1. 基于TCAD的VDMOS功率器件仿真研究

黑龙江大学硕士学位论文
基于TCAD的VDMOS功率器件仿真研究
姓名：姜伟申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学
2.  IGBT器件结构的改进与器件性能的提升
合肥工业大学硕士学位论文IGBT模型仿真研究姓名：赵芬申请学位级别：硕士

3.  IGBT仿真设计(毕业论文)   

学    院： 理   学   院     专    业： 电子科学与技术  班    级：   2007级1班     学    号：  070712110075    学生姓名：  孙    阔

4.  600-V 溝渠式絕緣閘雙極性電晶體設計、分析與短路能力探討
簡潔(Chieh Chien )
本論文首先針對封裝完成之額定電壓/電流為600 V/30 A與導通電壓為1.88 V之絕緣閘雙極性電晶體IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor進行設計、製作流程模擬與測量結果分析，再針對縮小元件面積改善邊緣終端區(edge termination)之設計進行研究。最佳化邊緣終端區設計寬度為200 μm且崩潰電壓可達到1200 V以上，藉由改變保護環(guard ring)之濃度可將崩潰電壓調整至額定電壓600 V以配合主動區(active area)之設計。
利用Silvaco公司之Athena和Atlas軟體進行元件製程模擬和電性分析後，加上電路架構進一步探討IGBT短路操作能力(short-circuit capability)。論文中提出場終止型(Field-stop) IGBT之N-緩衝層以遞減摻雜劑量方式作背部摻雜，可有效改善元件短路能力且對元件之基本特性影響不大。最後針對IGBT在變頻器電路(inverter)應用，將隔離電路、閘極驅動電路和六顆IGBT設計在變頻器驅動板中來驅動壓縮機馬達，並配合最佳控制策略完成直流變頻冷氣驅動系統。本論文詳細介紹系統中反相驅動板之設計與操作方法，並將封裝後之IGBT放入此板中做測試。

5.
MEDICI仿真DMOS的耐压
     MEDICI仿真DMOS的耐压_电子/电路_工程科技_专业资料。介绍TCAD软件DMOS设计仿真MEDICI仿真DMOS的耐压