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查看: 12267|回复: 15

[讨论] 热阱冷阱的区别

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发表于 2015-5-19 20:21:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有些工艺中谈到热阱冷阱,说是接最高电位的是冷阱,否则就是热阱。怎么去理解这个定义呢?可以从其他方面来区分热阱冷阱么?
发表于 2015-5-19 20:47:31 | 显示全部楼层
求答案?顶一个
发表于 2015-5-20 11:13:03 | 显示全部楼层
冷阱就是接芯片最高电位的阱,它的电位基本不会变,很稳定。
而其它接相对高电位的阱,或者没有接任何电位的阱,它们的阱电位就有可能会发生变化,称之为热阱。
名字上的不同而已。
不严谨的说,你可以这样想,最高电位(假设是VDD)是外界直接给的,很稳定。而其它相对高电位都是电路内部模块产生的,那么电位就可能会随着芯片工作而上下浮动甚至发生大范围变化。
因此,工艺上对冷阱和热阱的要求也是不一样的,比如对N型热阱到旁边N+有源区的间距就比冷阱要大。
发表于 2015-5-20 21:50:15 | 显示全部楼层
你能写出这两个术语的英文原文么?
一般来说,经过翻译之后的术语很难与原义保持一致。
 楼主| 发表于 2015-5-21 08:58:55 | 显示全部楼层
回复 3# terry8876
低压内部电源接的阱算不算冷阱?我觉得冷阱是可以提供大的电流而不变电压的阱。
发表于 2015-5-21 09:26:10 | 显示全部楼层
回复 5# 大海wdh


   算不算不是我说了算,而是工艺厂说了算,它规定了除接芯片最高电位的阱之外都为热阱。
发表于 2015-5-22 08:04:54 | 显示全部楼层
所谓的不接电源的N阱画双环包着。内部电源的就画一个PSUB环包着。
 楼主| 发表于 2015-5-23 08:55:31 | 显示全部楼层
回复 7# leo2leo
这个说法几乎没人做吧
发表于 2015-5-23 09:23:03 | 显示全部楼层
回复 8# 大海wdh


   我们就是这样做的啊。例如衬底接自身的PMOS对管,这算是热N阱吧?我们就是要画PSUB环和NW环包着的。那些REG出来的内部电源,一般就画个PSUB环包着,实在没位置就再说了。
 楼主| 发表于 2015-5-25 08:57:14 | 显示全部楼层
回复 9# leo2leo
这样做是有好处,不过能带来多少好处就不知道了
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