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[原创] 运算放大器中低噪声和低功耗是个矛盾值吗?

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发表于 2015-5-18 22:17:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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单个MOS晶体管中,根据噪声的计算公式,Vn^2=In^2*Ro^2 .   Vn^2 = 4kT*2/3*gm*Ro^2       ---(1)
   gm=sqrt(2*u*Cox*W/L*Io)    -----(2)
   Ro=1/(lammda *Io)              -----(3)

  把(2),(3) 带入到(1)中,

  得到 Vn^2 正比于 1/(Io^1.5)

  那么说 ,在MOS 管工作在 饱和区 的沟道噪声 跟电流是反比的。

  当电流无限小时,噪声就会无限大。直到电流小到让MOS 管进入 亚域区或者线性区。


以上的说法有问题吗?
发表于 2015-5-18 22:44:10 | 显示全部楼层
同问
发表于 2015-5-19 10:41:25 | 显示全部楼层
不要忘记带宽的影响,虽然noise floor会提高,但是带宽也相应减小
发表于 2015-5-19 11:58:03 | 显示全部楼层
放大器可能看噪声系数,更能反映放大器实际噪声特性。。。
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