感觉标准单元不对，大神帮忙看看

西边的鸵鸟 · 发表于 2015-5-12 21:44:53

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使用TSMC018工艺，在标准单元版图里面，比如反相器，感觉nwell没有阱接触，图如下捕获.PNG

采用这些标准单元进行设计，到DRC的时候出现了上万个下面的关于闩锁的错误：
LUP.6 { @ Any point inside NMOS source/drain space to the nearest PW STRAP in the same PW <= 30 um
      @ Any point inside PMOS source/drain space to the nearest NW STRAP in the same NW <= 30 um

@ In SRAM bit cell region, the rule is relaxed to 40 um
  PACT_CHECK_NON_SRAM NOT NSTP_OS
  PACT_CHECK_SRAM NOT (NSTP_OS OR NSTP_OS_SRAM)
  NACT_CHECK_NON_SRAM NOT PSTP_OS
  NACT_CHECK_SRAM NOT (PSTP_OS OR PSTP_OS_SRAM)

请问各位前辈：（1）这个错误是不是由于阱悬空引起的？
（2）如果是，该怎么修改？因为所有的标准单元都有这个问题，所以不可能一个一个修改，应该在PR的时候怎么处理呢？
注：在PR完成后，我在encounter工具里做了DRC的检查（我知道这个不完全正确）

qfliuyang · 发表于 2015-5-12 22:34:31

好好看手册，这库是要自己家TAPCELL的吧

shinefuture · 发表于 2015-5-12 22:49:01

见到有人用我做的库真亲切啊

楼主你忘了撒TAPCELL了

西边的鸵鸟 · 发表于 2015-5-12 22:53:12

回复 3# shinefuture
什么？请前辈告知具体原因！感激不尽！TAPCELL是在标准单元库里面吗？还有撒TAPCELL是在P&R的哪个阶段？
多谢多谢！！

西边的鸵鸟 · 发表于 2015-5-12 22:55:19

回复 2# qfliuyang
我在仔细看看标准单元手册。请问前辈这个TAPCELL的作用是什么？应该怎么添加？（我是用的encounter做的自动P&R）
感激不尽！！！！！！

shinefuture · 发表于 2015-5-12 23:15:13

TAPCELL 就是提供井电位的，每60u左右撒一个，placement前撒进去

shinefuture · 发表于 2015-5-12 23:15:51

encounter有专门的命令做这一步

shinefuture · 发表于 2015-5-12 23:19:42

这套库是我n年前的作品哈哈有点小兴奋
楼主加个Q 呗 95428743 注明标准单元

西边的鸵鸟 · 发表于 2015-5-12 23:47:52

回复 6# shinefuture
奥，ok.我试试，多谢指导！！

西边的鸵鸟 · 发表于 2015-5-12 23:49:01

回复 8# shinefuture
好的，已加了。刚看到

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