关于SRAM版图cell设计问题求助

lianlong · 发表于 2015-5-5 09:52:07

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本帖最后由 lianlong 于 2015-5-5 10:09 编辑

在研究关于SRAM版图cell设计的时候发现，90nm工艺下的SRAM中6管中4个双稳态锁存管的分布大致如下，上面两个为PMOS，下面两个为NMOS

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但是看到65nm工艺下的大致分布如下中间为两个PMOS，两边为两个NMOS，看到有45nm工艺的也大致如下图所示

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我想问一下这样设计的目的是为什么，是因为65nm下图中的版图设计方式面积最省吗？还是还有其他原因，考虑到其他因素

yuqian.fu · 发表于 2015-8-13 10:23:55

图2吃的规则会多一点，面积会省一点

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