为什么LDO要采用左边的结构而不是右边的结构呢

fightshan · 发表于 2015-3-25 09:10:18

回复 byronzhao

不是很简单嘛，左边多了一级，右边只是个源跟随
semico_ljj 发表于 2015-3-24 22:02

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什么意思？右边不也是环路吗·······

mikeppq · 发表于 2015-3-25 09:23:04

回复 1# nm2012

除了输入和输出的压差之后，还要考虑load regulation， nmos 明显没有pmos好

渡渡 · 发表于 2015-3-25 09:24:25

回复 9# 199619919

请问，问什么source follower 不影响环路稳定性？而左边的电路影响？

naoz · 发表于 2015-3-25 20:26:39

回复 5# semico_ljj

当然稳定性更好啊，source follower形成low impedance output，很容易把dominate pole做在输出。用common source，在EA out就有次级点，如果不separate就不稳定。

semico_ljj · 发表于 2015-3-25 22:24:13

mark。。。

liuzhihuafl · 发表于 2015-3-26 00:22:29

mark。。。

semico_ljj · 发表于 2015-3-26 11:09:42

回复 14# naoz

如果是芯片内部驱动小电流，我见过右边的设计，很实用也很好！左边就是要涉及到补偿，带宽可能不太高！

tjuzhjian · 发表于 2015-3-26 13:38:48

除非是输入和输出电压差的很大，才考虑右边结构。

buckaroo · 发表于 2015-3-26 21:28:10

thx~
nm2012 发表于 2015-3-24 15:20

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就性能来说，那肯定是右边的好，现实当中也有用，但是得采用native的power mos（面积大），否则VDD和输出power就不是low drop out了

byronzhao · 发表于 2015-3-27 09:23:57

回复 8# semico_ljj

哦，说的是，受教了！谢谢！

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