为什么LDO要采用左边的结构而不是右边的结构呢

nm2012 · 发表于 2015-3-24 15:20:35

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thx~

AcoAco · 发表于 2015-3-24 15:43:57

合适的人是不是LDO。输出晶体管Vth的=>产生高电压差。

byronzhao · 发表于 2015-3-24 15:56:00

左边的功率输出管是p管，右边是n管，n管需要的驱动电平更高，需要加charge-pump结构才可以，所以右边是正解。从环路稳定性角度看，左边也更好

渡渡 · 发表于 2015-3-24 15:59:45

第二个有NMOS的VTH受体效应影响

semico_ljj · 发表于 2015-3-24 16:14:46

回复 3# byronzhao

从环路稳定性角度看，左边也更好？？？
这句话不对呀！

byronzhao · 发表于 2015-3-24 16:18:40

回复 5# semico_ljj

呵呵，请指教

fightshan · 发表于 2015-3-24 16:20:33

左边的功率管是P型，功率管一般做成P行吧？如果你的foundry也能提供N型功率管，采用右边的结构也未尝不可。

semico_ljj · 发表于 2015-3-24 22:02:29

回复 6# byronzhao

不是很简单嘛，左边多了一级，右边只是个源跟随

199619919 · 发表于 2015-3-25 08:47:03

两种都可以用吧，看具体应用情况。右边的好处是nmos作为source follower，不会影响环路的稳定性。如果用左边的结构，需要注意一下loop stability

麒麟 · 发表于 2015-3-25 08:58:11

左边的输出电压可以接近电源电压，可以实现低压差；而右边的功率管要导通至少要比电源第一个VGS，不能实现低压差

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