在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3453|回复: 5

[讨论] 关于NWELL与N注入的疑惑?

[复制链接]
发表于 2015-3-15 16:48:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
各位大神:
        请教一个问题:layout设计的时候通常咱们会让NWELL包完N注入(阱电位接触孔区域的注入)。现在遇到一新情况,因项目需要,NWELL不包完N注入(阱电位接触孔区域的注入),也就是阱电位接触区域的注入比NWELL的边界还大了一点。这样子做行不行?求解。。。。。。。PS:design rule 能过的哈!
发表于 2015-3-15 19:48:28 | 显示全部楼层
另外单独 tap 吧, 可能是
发表于 2015-3-16 15:47:43 | 显示全部楼层
没问题的。也可以的。但有些工艺中,不许这样干。
 楼主| 发表于 2015-3-17 20:27:55 | 显示全部楼层
回复 2# icfbicfb


    不是单独的,总觉得这样做有什么不妥,但是又不太说得上来。
 楼主| 发表于 2015-3-17 20:28:43 | 显示全部楼层
回复 3# Hyacinth1292


    好吧,感谢
发表于 2015-6-2 10:03:27 | 显示全部楼层
tap是什么意思
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 06:53 , Processed in 0.020895 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表