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查看: 3534|回复: 5

[讨论] 关于NWELL与N注入的疑惑?

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发表于 2015-3-15 16:48:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大神:
        请教一个问题:layout设计的时候通常咱们会让NWELL包完N注入(阱电位接触孔区域的注入)。现在遇到一新情况,因项目需要,NWELL不包完N注入(阱电位接触孔区域的注入),也就是阱电位接触区域的注入比NWELL的边界还大了一点。这样子做行不行?求解。。。。。。。PS:design rule 能过的哈!
发表于 2015-3-15 19:48:28 | 显示全部楼层
另外单独 tap 吧, 可能是
发表于 2015-3-16 15:47:43 | 显示全部楼层
没问题的。也可以的。但有些工艺中,不许这样干。
 楼主| 发表于 2015-3-17 20:27:55 | 显示全部楼层
回复 2# icfbicfb


    不是单独的,总觉得这样做有什么不妥,但是又不太说得上来。
 楼主| 发表于 2015-3-17 20:28:43 | 显示全部楼层
回复 3# Hyacinth1292


    好吧,感谢
发表于 2015-6-2 10:03:27 | 显示全部楼层
tap是什么意思
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