请问如何在sentaurus里面设置SiC的界面陷阱

zhouciqi · 发表于 2015-3-7 11:16:08

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我有在SiC器件里面进行过设置，按照手册我是设置的指数型的陷阱，但是我进行仿真的时候，指数型的陷阱没有起到相应的作用，我想请教一下大家应该怎么进行处理才能够使我的陷阱起到相应的作用，不胜感激！我是通过查看阈值电压来观测是否起了作用的。

Physics(MaterialInterface="SiliconCarbide/Oxide"){
Traps(FixedCharge Conc=4.5e+12)#这一部分代码是起了作用的
Traps(eNeutral Exponential fromCondBand Conc=1e+12 EnergyMid=0.1 EnergySig=1 eXsection=1e-10 hXsection=1e-12)#这部分代码可能出现问题了，我无论如何修改数据都对阈值电压没有影响
}

复制代码

[img]file:///C:\Users\ciqi\AppData\Roaming\Tencent\Users\348374717\QQ\WinTemp\RichOle\V4YVL)JX[R(W`TZ98PM)C[H.png[/img]

zhouciqi · 发表于 2015-3-7 14:34:07

自己顶起来！！！！求大神帮忙解决啊！！！

轩逸弦 · 发表于 2016-3-30 09:43:54

你仿真的时候有没有提醒你
interface not found in grid file _msh.tdr
？？
有的话就是网格没有划分好……

darlingxu · 发表于 2017-10-11 22:30:21

回复 3# 轩逸弦

谢谢你的提醒，请问网格怎么调整才算是好呢？

zyy2021 · 发表于 2021-7-8 17:21:59

请问怎么修改才可以呢？我这个也提示界面网格的问题

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