请教下怎样估算芯片内部局部温度

lion_cube · 发表于 2015-1-15 10:06:22

回复 10# 上海大学

是后缀为.dat的文件么？那个文件好像打不开~

hszgl · 发表于 2015-1-15 12:45:52

发热功率是80mW，散热功率是导热系数乘以面积除以厚度，再乘以温差。只考虑上表面散热，二氧化硅的导热系数根据形态不同差别很大，平均取1.4W/mk，你的线圈面积约2800um^2,你的钝化层厚度是多少不知道，用2um估算的话，取温差50k（空气温度30度），可得散热功率是98mW略高于加热功率，说明80度时，你的芯片会降温比升温快，也就是说你的线圈达不到80度。

其实由于硅的导热系数更高，而且芯片在金属框架上，考虑衬底散热会更快。

semico_ljj · 发表于 2015-1-15 13:17:00

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lion_cube · 发表于 2015-1-15 16:09:45

回复 12# hszgl

太感谢了，学习了！

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