LDO采用NMOS作为pass device的问题

asu2011 · 发表于 2014-12-12 11:17:17

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最近刚接触LDO，发现基本的linear LDO都是采用PMOS管作为pass device，是因为drop电压低，为PMOS的vdsat；
如果采用NMOS，drop电压为NMOS的vgs，为什么呢？不也是vdsat么？找个资料说是因为采用NMOS的话会受到EA输出电压的限制，想了半天还是没搞懂，求大神现身说法。。。

GodofSun · 发表于 2014-12-12 11:21:39

一般芯片内部最高电压就是Vin，那EA输出最高也只能到Vin（不用charge pump等升压技术的话），所以用NMOS的话，Source电压只能上到Vin-Vgs。

yjsun · 发表于 2014-12-12 11:28:18

正解。

一般芯片内部最高电压就是Vin，那EA输出最高也只能到Vin（不用charge pump等升压技术的话），所以用NMOS的话 ...
GodofSun 发表于 2014-12-12 11:21

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asu2011 · 发表于 2014-12-12 13:10:30

回复 2# GodofSun

谢谢回复还有疑问在于对于LDO来说VDD也就是vin，对于PMOS，drop out电压就是vin-vout=vdd-vout也就是PMOS管的vds值，也就是论文里面说的vdsat，但是对于NMOS来说的话，drop out电压不还是vin-vout么，不是vdd-vout么，这样来说不还是NMOS管子的vds么？看来这样理解肯定有问题，但是我不知道问题出在哪儿了~

semico_ljj · 发表于 2014-12-12 13:42:09

回复 4# asu2011

LDO NMOS的Dropout很大！

asu2011 · 发表于 2014-12-12 13:45:48

回复 5# semico_ljj

谢谢回复我知道很大但是我没分析出来可能这问题比较弱还求详细说明?

GodofSun · 发表于 2014-12-12 13:46:02

回复 GodofSun

谢谢回复还有疑问在于对于LDO来说VDD也就是vin，对于PMOS，drop out电压就是vi ...
asu2011 发表于 2014-12-12 13:10

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你说的没错，但是如果一个LDO需要dropout电压很小或者Vin很低的时候，用N管就不好了。因为被N管的Vgs卡到了。

asu2011 · 发表于 2014-12-12 15:18:19

回复 7# GodofSun

好像有点懂了我再想想十分感谢耐心解答好人一生平安~

GodofSun · 发表于 2014-12-12 15:44:08

回复 GodofSun

好像有点懂了我再想想十分感谢耐心解答好人一生平安~
asu2011 发表于 2014-12-12 15:18

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dropout一直都是Vout-Vin，所以N管P管都一样，问题是N管的dropout是建立在N管要导通的前提下，想想管子的工作区间就明白了。

hezudao · 发表于 2014-12-12 16:06:39

仔细琢磨2楼回复

[求助] LDO采用NMOS作为pass device的问题

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