LDO采用NMOS作为pass device的问题

asu2011

最近刚接触LDO，发现基本的linear LDO都是采用PMOS管作为pass device，是因为drop电压低，为PMOS的vdsat；
如果采用NMOS，drop电压为NMOS的vgs，为什么呢？不也是vdsat么？找个资料说是因为采用NMOS的话会受到EA输出电压的限制，想了半天还是没搞懂，求大神现身说法。。。

GodofSun

一般芯片内部最高电压就是Vin，那EA输出最高也只能到Vin（不用charge pump等升压技术的话），所以用NMOS的话，Source电压只能上到Vin-Vgs。

yjsun

正解。

   

一般芯片内部最高电压就是Vin，那EA输出最高也只能到Vin（不用charge pump等升压技术的话），所以用NMOS的话 ...
GodofSun 发表于 2014-12-12 11:21

                               
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asu2011

回复 2# GodofSun


    谢谢回复 还有疑问在于 对于LDO来说VDD也就是vin，对于PMOS，drop out电压就是vin-vout=vdd-vout也就是PMOS管的vds值，也就是论文里面说的vdsat，但是对于NMOS来说的话，drop out电压不还是vin-vout么，不是vdd-vout么，这样来说不还是NMOS管子的vds么？看来这样理解肯定有问题，但是我不知道问题出在哪儿了~

semico_ljj

回复 4# asu2011

LDO NMOS的Dropout很大！

asu2011

回复 5# semico_ljj


    谢谢回复  我知道很大 但是我没分析出来 可能这问题比较弱 还求详细说明?

GodofSun

   

回复  GodofSun


    谢谢回复 还有疑问在于 对于LDO来说VDD也就是vin，对于PMOS，drop out电压就是vi ...
asu2011 发表于 2014-12-12 13:10

                               
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你说的没错，但是如果一个LDO需要dropout电压很小或者Vin很低的时候，用N管就不好了。因为被N管的Vgs卡到了。

asu2011

回复 7# GodofSun


    好像有点懂了 我再想想 十分感谢耐心解答 好人一生平安~

GodofSun

   

回复  GodofSun


    好像有点懂了 我再想想 十分感谢耐心解答 好人一生平安~
asu2011 发表于 2014-12-12 15:18

                               
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dropout一直都是Vout-Vin，所以N管P管都一样，问题是N管的dropout是建立在N管要导通的前提下，想想管子的工作区间就明白了。

hezudao

仔细琢磨2楼回复