LDO采用NMOS作为pass device的问题

hehuachangkai · 发表于 2014-12-12 20:19:10

学习了，多谢

sea11038 · 发表于 2014-12-12 23:20:13

用P管是反向放大形式，用N管时是源跟随器工作形式，结构有本质的区别。用N管时，压差最小也要大于阈值电压Vth（阈值电压有多大，你懂的），因为若想要压差Vds=Vdd-Vs＜Vth，由于Vg最大也只能为电源电压Vdd，这就意味着Vgs=Vg-Vs＜=Vdd-Vs＜Vth，也即管子工作在亚阈值区，这样电流输出能力肯定不行吧！Vg=Vdd这种状态已是压差为Vth时输出最大电流的极限状态了，此时要继续提高电流输出的话，只有增大Vgs了（增加过驱动电压），Vg已经不能再增加了（已经到Vdd了），只好降Vs了（Vs=Vout），这意味着压差进一步增大，不好吧！

hszgl · 发表于 2014-12-12 23:40:20

回复 4# asu2011

两个vds值不一样。

asu2011 · 发表于 2014-12-15 09:18:19

回复 9# GodofSun

恩恩想明白了十分感谢

asu2011 · 发表于 2014-12-15 09:18:58

回复 13# hszgl

是的现在理解了一个是饱和临界的vds一个是进入饱和区的vds

asu2011 · 发表于 2014-12-15 09:20:13

回复 12# sea11038

十分感谢详细的回答！！

ccmos · 发表于 2020-8-4 14:31:23

sea11038 发表于 2014-12-12 23:20
用P管是反向放大形式，用N管时是源跟随器工作形式，结构有本质的区别。用N管时，压差最小也要大于阈值电压V ...

谢谢，明白了

ic-lin · 发表于 2020-11-10 09:11:32

学习了！

NakajimaYuto · 发表于 2022-7-3 21:42:26

学习了！！！！

Jairus · 发表于 2022-12-1 10:06:57

采用NMOS的话psrr会变高，这个是为啥啊

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] LDO采用NMOS作为pass device的问题

浏览过的版块

站长推荐 /1