SIwave 电源完整性仿真 Switching Power Noise（开关电源噪声）

paopaoyeah

大家好，我在用SIwave进行电源完整性仿真时，仿真对象是2.5V供电的DDR SDRAM的噪声，DDR芯片的电源引脚以及相应的电容上的噪声的测试与仿真结果如表所示

DPO7354_TAP3500_200M_10mV代表使用的示波器是DPO7354，探头是TAP3500，200M表示示波器的带宽，10mV表示精度（即纵坐标每格代表10mV）；Simulation_30%代表DDR SDRAM的驱动强度为30%，60%代表DDR SDRAM的驱动强度为60%，Full代表驱动强度为100%

实际使用时DDR的驱动强度是Full，仿真结果与测试结果相比有一定差距，2G带宽的测试结果与Full的仿真结果中芯片引脚上的噪声差别比较大，是不是因为示波器的2G带宽无法抓到更高频率的噪声而使测试结果小了？

请问有人做过SIwave电源完整性仿真吗？大家做出来的结果与测试结果相差大吗？给一些帮助！

谢谢！

Pin&电容	DPO7354_TAP3500_200M_10mV	DPO7354_TAP3500_500M_20mV	DPO7354_TAP3500_2G_50mV	Simulation_30%	Simulation_60%	Simulation_Full
C262	18.0	24.0	42.0	22.8	28.6	40.2
C261	18.8	24.8	42.0	26.4	33.2	46.8
C260	20.8	25.6	42.0	26.0	32.4	46.1
C257	17.6	25.6	44.0	17.6	21.9	30.7
C256	22.0	28.0	48.0	23.3	29.7	43.5
C255	19.2	24.8	42.0	25.9	32.2	47.0
U6_3	\	135.2	186.0	259.8	319.6	445.3
U6_9	\	181.6	230.0	258.9	318.5	443.7
U6_15	\	204.0	238.0	271.6	334.2	464.8
U6_55	\	178.8	210.0	251.8	310.1	432.1
U6_61	\	148.0	206.0	271.6	334.2	464.8

paopaoyeah

求助啊！好心的大神们！！

paopaoyeah

期待有人能帮我解答，等待中。。

willyeing

回复 1# paopaoyeah


    请问siwave能仿真电源噪声吗？你是从哪儿知道的。

paopaoyeah

回复 4# willyeing

能啊，我的理解：噪声的仿真是电源完整性仿真中比较重要的一部分内容，用过仿真Switching Power Noise或SSN（同步开关噪声）来查看电源分配系统的设计在时域中是否满足要求。那么，你对于本帖中的问题有什么有帮助的信息吗？。。。

zjt289198457

你的仿真设置流程是什么，能提供一下仿真流程文件吗？
一般来说仿真与测试结果是有差距的，只要总体趋势吻合的话就OK，但是从你提供的数据来看，趋势貌似不对；

zjt289198457

最好能有一个详细的流程文档为看一下！！

paopaoyeah

回复 6# zjt289198457

仿真流程：先在SIwave中计算S参数，提取模型
然后在Designer里面连接好外围电路，包括驱动器和接收器的IBIS模型，各种查看波形的探针等


并没有考虑芯片的PDN和封装的参数
电容都是使用大厂家如三星村田的S参数


另外你仿真过电源噪声吗？是不是IBIS模型对于噪声（SPN或SSN）的仿真确实会过估计，通过添加VCCAP等反馈网络可以使仿真结果误差相对更小？

cousins

我想是你的s参数提取不够精确。
我所做过的siwave即使用来做近场在5GHz都可以和频谱的能量级差别不大，你觉得开关电源噪声在时域会相差很多吗？

paopaoyeah

回复 9# cousins

原因好像是IBIS仿真SSN确实存在过估计的问题，与SPICE模型相比SSN的仿真结果要高出很多，好像通过加反馈网络可以提高精度，目前以这个思路着手解决吧。。