熟悉新的工艺，应该做哪些准备？应该仿真器件的哪些特性？

Johnson2011

先抛砖引玉。一般厂家的pdk，都会给出器件的一些参数，比如mos，mos-cap，resistor，mim-cap，bjt等，但是都是大概的参数，比如mos有哪些类型，阈值电压的随pvt的变化趋势。但是，这些在实际的设计中完全不够用！！！为此，需要对工艺进行进一步的评估，比如 pmos、nmos的vth 在pvt的变化值，栅电容的容值，器件的迁移率的变化。再此之外，还需要了解器件的哪些特性呢？ 怎么仿真呢？

idaidayou

几十种PVT条件下：vth vs W, vth vs L, Idsleak vs L, Igateleak vs L, moscap vs w, ncap vs w, 各种res vs temp, moscap的 min/max值, coredevice和iodevice需要分别仿真。
用Hspice比较方便。

Johnson2011

回复 2# idaidayou


    多谢，这些仿真已经做过了，一些简单的信息从pdk中可以得到大概趋势和范围。目前在做mos器件的beta，ft，selfgain的仿真，请问如果要仿真电容的Q值怎么进行？

semico_ljj

“这些在实际的设计中完全不够用！”这句话不对

semico_ljj

回复 1# Johnson2011

像TSMC这类比较齐全的文档，你能安心看完就知道大概了。评估工艺线完全足够

Johnson2011

回复 4# semico_ljj


    简单的说，在T16的pdk里，给出的momcap的pvt偏差为正负25%，实际的工艺角仿真为40%。我不知道应该相信哪个。

Johnson2011

顶起来

tedious

回复 2# idaidayou


    请教一下，为什么hspice方便？ 是因为有直接的command measure， 还是数据结果便于处理？

idaidayou

回复 8# tediohspice的批量仿真更容易。 SP文件也可以加入一些公式，仿真直接输出想要的结果。
波形查看器各种波形处理分析功能也更方便。